Flash是存储芯片的一种，在电子及半导体领域内表示为Flsah Memory，全称为Flash EEPROM Memeory，即我们平时说的“闪存”。它结合了ROM和RAM的优点，具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，能够在操作中被多次擦或写，还可以快速的读取数据（NVRAM的优点），使数据不会在断电时丢失。U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统不断使用ROM（EPROM）作为存储设备，但近年来Flash已经全面替代了ROM（EPROM），用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。

flash存储器的分类

根据内部架构和实现技术，Flash存储器可以分为AND、NAND、NOR和NiNOR四种，现在占据主流市场的就是NOR Flash和NAND Flash两大类。

1、NOR Flash

NOR Flash是一种由Intel公司于1988年创建的非易失闪存技术。它将存储单元组织为块序列，能够以字节为单位进行数据访问，以并行的方式连接存储单元，具有分离的控制线、地址线和数据线，具有较快的读速度，能够给予片上执行的功能。且其传输效率很高，在1-4MB的小容量时具有很高的成本效益，所以一般小容量的存储都选用NOR Flash会更为合适。但由于其写操作和擦除操作的时间较长，容量低，价格高，所以现在多用于手机、BIOS芯片以及嵌入式系统中页进行代码存储。

2、NAND Flash

NAND Flash是由东芝公司于1989年发布的，内部采用线性宏单元模式，一个块通常包括32页，64页，128页，页大小通常为512B，2KB，4KB，每个页包含数据区和带外区两部分，数据区存储用户数据，带外区存储 ECC（erro rcorrecting codes），地址映射信息等用于Flash 存储管理的信息，对应的大小通常为512B，32B，2KB，64B , 4KB，128B。
 

1、优点

（1）在不掉电的情况下长期保持存储的信息

（2）在断电时，数据不会丢失

（3）高存取速度，低功耗，易于擦除和重写

2、缺点

（1）存储容量不够大

（2）价格偏高
 

从Flash存储器的基本特点可以看出，在单片机中，可以利用Flash存储器固化程序，一般情况下顺利获得编程器来完成，Flash存储器工作于这种情况，叫监控模式（Monitor Mode）或写入器模式，这与一般的EPROM、OTP、EEPROM装入程序的含义相似。另一方面，由于Flash存储器具有电可擦除功能，因此，在程序运行过程中，有可能对Flash存储区的数据或程序进行更新，Flash存储器工作于这种情况，叫用户模式（User Mode）或在线编程模式。